Informations générales
Volumes horaires
- CM -
- Projet -
- TD 6.0
- Stage -
- TP -
- DS 1.5
Crédits ECTSCrédits ECTS
0.2
Objectif(s)
Nous aborderons ici la physique des semi-conducteurs. Nous introduisons les matériaux semiconducteurs en abordant d'abord la notion de dopage (semiconducteurs intrinsèques et extrinsèques) pour aboutir à la jonction pn et ses applications (cellules solaires, diodes électroluminescentes).
Nous étudions ensuite le contact métal/semiconducteur (diodes schottky) puis nous terminerons par les transistors MOS.
Contenu(s)
1 La jonction p-n
Semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque
La jonction p-n au repos
Jonction p-n sous polarisant
Diodes p-n réelles
2 Les diodes et les transistors
Diodes pn : applications
Diode Schottky
3 Le Transistor MOS
Principe d'une capacité MOS
Fonctionnement d'un transistor MOS
Evolution et Histoire du transistor MOS
- Cours Propriétés électriques de la matière
- Cours Physique du Solide
Contrôle des connaissances
30% contrôle continu
70% examen terminal :
- 1 épreuve écrite - 1h30
- Calculatrice non programmable ou programmable en mode examen autorisée
- En cas de tiers-temps : notation adaptée (facteur 1,33)
En cas de non validation d’une UE, le jury peut autoriser l’élève ingénieur à passer des épreuves complémentaires pour la valider.
Informations complémentaires
Code de l'enseignement : KAMA6M12
Langue(s) d'enseignement : 
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