Procédés de micro et nano fabrication - KAMA9M27

Objectif(s)

Présentation générale des étapes technologiques intervenant dans la fabrication de circuits intégrés silicium ; infrastructure des salles blanches, enchainement des étapes technologiques (process flow) technologie CMOS, principe physique des procédés et les équipements associés.

Contenu(s)

• Description générale de la séquence des étapes technologiques ( Process Flow) de fabrication d’un circuit intégré en technologies CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon).
• Description de l’infrastructure de fabrication des circuits intégrés : les salles blanches. Caractéristiques techniques des salles blanches : leurs classes de propreté et les spécifications (eau désionisée, température, hygrométrie,)
• Description d’un procédé type de fabrication d’un transistor en technologie CMOS et de sa fonctionnalité électrique en interrupteur électriquement commandé. Exemple de réalisation d’une porte logique simple, « l’inverseur ».
• Description des principaux procédés (étapes) technologiques : oxydation thermique, dopage (diffusion implantation), dépôt de couches minces (PVD, CVD, PECVD,…), photolithographie (contact, projection, proximité) et de gravure chimique et gravure par plasma.
• Principe de fonctionnement des équipements associés à chaque procédé technologique : réacteurs plasma, four de traitement thermique, implanteur, ...

Notions sur la physique de dispositifs électronique intégrés type MOSFET (transistor MOS à effet de champ), diode p-n, capacité MOS.
Notions de physique des semiconducteurs (structure cristalline, dopage, transport électronique, structure de bandes électroniques).