Épitaxie pour les micro et nano technologies - KAMP9M20

Objectif(s)

Objectifs

L'objectif de ce cours est de présenter les mécanismes de croissance cristalline illustrés par des exemples pris dans le domaine des matériaux semiconducteurs. La première partie présentera les principes de base de l’épitaxie et les deux principales techniques de croissance utilisées dans l'industrie. La deuxième partie sera consacrée à l’héteroépitaxie qui met en jeu des déformations élastiques et plastiques et qui conduit à 4 modes de croissances distincts par minimisation de l’énergie totale du système. Une troisième partie abordera spécifiquement la croissance des nanostructures (puits quantiques, nanofils et boites quantiques) et ouvrira vers des approches nouvelles telle que la croissance sur graphène. Par ailleurs, 2 techniques de caractérisation structurale importantes (microscopie électronique à transmission et la diffraction des rayons X en incidence rasante) seront introduites et utilisées dans le cadre de ce cours.